La memoria operativa de una computadora moderna se caracteriza por varios parámetros. Los más famosos son el volumen y la frecuencia, pero la latencia de la memoria, también llamada sincronización, también es un indicador importante.
La memoria de acceso aleatorio (RAM) de la computadora es una memoria volátil que contiene componentes del sistema operativo y programas en ejecución. La cantidad de memoria afecta la cantidad de información que puede contener al mismo tiempo y, en consecuencia, la cantidad de aplicaciones en ejecución. La frecuencia caracteriza la velocidad de la memoria, es decir, el número de operaciones (ciclos) por segundo.
El progenitor de la memoria informática fue creado en 1834 por Charles Babbage. Este dispositivo mecánico, llamado tienda, almacenaba los resultados intermedios de los cálculos del motor analítico.
La latencia, o tiempos, muestra el número de ciclos de reloj dedicados a operaciones internas, en otras palabras, los tiempos caracterizan la memoria simple.
Principio de acceso a la memoria
Para comprender estos o aquellos tiempos, vale la pena detenerse con más detalle en el acceso a la memoria. Simplificado, un chip de memoria se puede representar como una tabla, donde cada celda corresponde a un elemento de memoria que almacena un bit.
Cuando se selecciona una celda específica, los números de columna y fila se transmiten a través del bus de direcciones. El primero es el estroboscópico de acceso a filas (RAS), luego el estroboscópico de acceso a columnas (CAS).
Después de seleccionar una celda, se le envían varios impulsos de control: verificando el acceso de escritura, escritura, lectura o recarga. Además, existen retrasos entre estas operaciones, que se denominan temporizaciones.
Tipos de tiempo
Hay cuatro tiempos diferentes según lo especificado por los fabricantes de memoria.
CL (CAS-latensy): la latencia CAS es la espera entre el pulso CAS y el inicio de la lectura. En otras palabras, la cantidad de tics necesarios para leer una celda, si la fila requerida ya está abierta.
T RCD (retardo de dirección de fila a dirección de columna): retardo entre pulsos RAS y CAS. El tiempo muestra el tiempo entre la apertura de una fila y la apertura de una columna.
T RP (tiempo de precarga de fila). Este tiempo es el retraso entre el impulso para cerrar la línea activa y el impulso RAS para abrir la siguiente.
A veces puede encontrar un registro como 6-6-6-18-24. Aquí el quinto número denota la sincronización de la tasa de comando: el retraso entre el pulso para seleccionar un microcircuito en el módulo de memoria y la activación de la línea.
La suma de estos tiempos caracteriza el retraso entre la lectura de una celda de memoria específica si hay otra línea abierta. Los fabricantes suelen indicar estos tres parámetros, pero a veces puede ver el cuarto: T RAS.
T RAS (tiempo activo de fila): el número de tics entre el pulso RAS y el pulso que cierra la fila (precarga), es decir, el tiempo de actualización de la fila. Normalmente, T RAS es igual a tres tiempos anteriores.
Por conveniencia, los tiempos se dan sin símbolos, separados por un guión, por ejemplo, 2-2-2 o 2-2-2-6.
