La memoria flash es una forma de tecnología de semipaso y memoria reprogramable eléctrica. El mismo concepto se puede utilizar en circuitos electrónicos para denotar soluciones tecnológicamente completas. En la vida cotidiana, este concepto se fija para una amplia clase de dispositivos de estado sólido para almacenar información.
Necesario
Unidad flash USB, computadora con conexión a internet
Instrucciones
Paso 1
El principio de funcionamiento de esta tecnología se basa en cambios y registros en áreas aisladas de carga eléctrica en una estructura semiconductora. El cambio de tal carga, es decir, su registro y borrado, ocurre con la ayuda de una aplicación ubicada entre la fuente y la puerta de su mayor potencial. Por lo tanto, se crea una fuerza de campo eléctrico suficiente entre el transistor y el bolsillo en un campo dieléctrico delgado. Así surge el efecto túnel.
Paso 2
Los recursos de memoria se basan en el cambio de carga. A veces se asocia con el efecto acumulativo de fenómenos irreversibles en su estructura. Por lo tanto, el número de entradas está limitado para la celda flash. Esta cifra para MLC suele ser de 10 mil unidades, y para SLC, hasta 100 mil unidades.
Paso 3
El tiempo de retención de datos está determinado por el tiempo que se almacenan los cargos, lo que suele indicar la mayoría de los fabricantes de productos para el hogar. No excede de diez a veinte años. Aunque los fabricantes solo dan garantía durante los primeros cinco años. Sin embargo, debe tenerse en cuenta que los dispositivos MLC tienen períodos de retención de datos más cortos que los dispositivos SLC.
Paso 4
La estructura jerárquica de la memoria flash se explica por el siguiente hecho. Procesos como escribir y borrar, así como leer información desde una unidad flash, ocurren en grandes bloques de diferentes tamaños. Por ejemplo, un bloque de borrado es más grande que un bloque de escritura, que a su vez es más pequeño que un bloque de lectura. Esta es una característica distintiva de la memoria flash de la clásica. Como resultado, todos sus microcircuitos tienen una estructura jerárquica pronunciada. La memoria se divide así en bloques, y éstos en sectores y páginas.
Paso 5
La velocidad de borrar, leer y escribir es diferente. Por ejemplo, la velocidad de borrado puede variar de uno a cientos de milisegundos. Depende del tamaño de la información que se borra. La velocidad de grabación es de decenas o cientos de microsegundos. La velocidad de lectura suele ser de decenas de nanosegundos.
Paso 6
Las características del uso de la memoria flash vienen dictadas por sus características. Está permitido producir y vender microcircuitos con cualquier número de celdas de memoria defectuosas. Para reducir este porcentaje, cada página se suministra con pequeños bloques adicionales.
Paso 7
El punto débil de la memoria flash es que el número de ciclos de reescritura en una página es limitado. La situación empeora aún más debido al hecho de que los sistemas de archivos a menudo escriben en la misma ubicación de memoria.
